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PDTC115EMB,315 datasheet | price NXP Semiconductors
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- Vce飽和度（最大值）@IbIc： 150mV @ 250µA，5mA
- 集電極截止電流（最大）： 1微安
- 頻率轉換： 230兆赫
- 包裹： 大部分
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